ANTONELLA PARISINI
Nata a Parma il 23/10/1959, coniugata, 1 figlio. Cittadina italiana.
RUOLI PROFESSIONALI
- dal 16/12/2004 Professore Associato Università di Parma Conferma dopo tre anni. SSD: BO3X (attuale PHYS03/A) Struttura della Materia
- dal 16/05/1990 Ricercatore della Facoltà di Ingegneria dell’Università di Parma. Conferma dopo tre anni. SSD: BO3X (attuale FIS03) Struttura della Materia
FORMAZIONE
- 1989 Dottore di Ricerca in Fisica - Università di Parma
- 1985 Laurea in Fisica - Università di Parma (110/110 cum laude)
- 1978 Diploma Scuola Superiore - Liceo Scientifico G. Marconi, Parma
ATTUALI COLLABORAZIONI SCIENTIFICHE
- Sorbonne Universitè, Paris, France - Dr. H. J. von Bardeleben; indagine EPR in Ga₂O₃
- Helmholtz Zentrum, Berlin, Germany - Dr. T. Dittrich; misure SPV in Ga₂O₃
- Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary - Dr. I. Cora; indagini TEM in Ga₂O₃
- Paul Drude Institute, Berlin, Germany - Dr. O. Bierwagen; deposizione MBE di Ga₂O₃
In Italia, principalmente:
- CNR-IMEM, Parma, Italy - Dr. M. Bosi, Dr. L. Seravalli; deposizione epitassiale di Ga₂O₃; e Dr.
Francesca Rossi; misure CL in Ga₂O₃; Dr. Enos Gombia and Dr. Matteo Bronzoni: misure DLTS
in Ga₂O₃; Dr. Francesco Bissoli: progettazione fotolitografica di dispositivi a base di Ga₂O₃
- Università di Cagliari, Italy - Prof. V. Fiorentini, Dr. P. Alippi; calcoli DFT in Ga₂O₃
- Università di Padova, Italy - Prof. A. Gasparotto; misure SIMS in Ga₂O₃
CONTRIBUTI ALLO SVILUPPO DI TECNOLOGIE, MATERIALI SISTEMI DI MISURA
Nel corso della attività scientifica svolta è stato dato un contributo determinante all'allestimento e allo sviluppo del Laboratorio "Semiconduttori" del Plesso di Fisica dell'Università di Parma, sia partecipando ampiamente all'assemblaggio e all'impiego dei citati sistemi sperimentali, sia elaborando modelli e calcoli per l'analisi e l'adattamento dei dati sperimentali. In particolare:
I) messa a punto e gestione del sistema di misura dell’Effetto Hall a bassi campi che funziona nell’intervallo di temperatura 10 - 600 K, al buio e sotto l'eccitazione ottica selettiva in lunghezza d’onda
II) Messa a punto di modelli e codici di calcolo per un'analisi autoconsistente della mobilità e della densità della portante in funzione della temperatura
III) Messa a punto di un impianto per misure di trasporto ad alto campo magnetico, con magnete superconduttore operante nel campo T da 1,5 a 300 K, fino a 12 Tesla
IV) Messa a punto di modelli e codici di calcolo per l'indagine su fenomeni di trasporto quantistico
V) Messa a punto di un sistema di misura di spettroscopia di carica spaziale (spettroscopia di ammettenza, misure di tensione di capacità) operanti nell'intervallo di temperatura 10-300 K con relativa analisi dei dati nel caso di applicazione della tecnica a sistemi diversi (semiconduttori inorganici o materia soffice)
V) Messa a punto di un sistema di misura di assorbimento ottico e proprietà fotoelettriche nell’intervallo spettrale vicino IR-visibile, operante nell’intervallo di temperatura 10-300 K
VI) Studio di eterogiunzioni planari con spettroscopia in ammettenza/impedenza
ASPETTI ORIGINALI DELLA RICERCA
(i) Analisi delle proprietà di trasporto elettronico dei composti ternari III-V, influenzate dalla presenza del centro DX in coesistenza con i livelli shallow introdotti dall’impurezza donore
(ii) Studio dei coefficienti di magneto-trasporto in Te-GaSb sia a bassi campi magnetici, per evidenziare effetti di magnetoresistenza negativa (debole localizzazione), che ad alti campi fino all’estremo limite quantico
(iii) Studio del trasporto attraverso stati localizzati in prossimità della transizione Mott e della transizione semiconduttore-isolante indotta dal campo magnetico.
(iv) Misura e analisi del trasporto parallelo di un gas elettronico 2D in strutture a buca quantica multipla e studio delle proprietà ottiche delle strutture
(v) Indagine fotoelettrica e con spettroscopia in ammettenza di strutture a buca quantica multipla incorporate nei diodi p-i-n, in funzione della temperatura e della frequenza dell'eccitazione ottica
(vi) Misure e analisi del trasporto perpendicolare attraverso una struttura a buca quantica multipla incorporata nella regione intrinseca di un diodo p-i-n, con l'evidenza di effetti di tunneling
(vii) Studio del disordine strutturale, come effetti di ordering o disordine correlato 1D in superreticoli
(viii) Studio delle proprietà di trasporto elettronico in strati impiantati 4H-SiC, e strati epitassiali di Ga₂O₃, relativo ai meccanismi di conduzione sia in stati estesi (bande di valenza e conduzione), sia in stati localizzati (Hopping a Range Variabile 3D e 2D)
(ix) Comprensione dei meccanismi elettrochimici alla base del funzionamento di strutture memristive organiche
(x) Studio dei difetti elettricamente attivi in Ga₂O₃ con metodi fotoelettrici e fotocapacitivi
(xi) Studio di eterogiunzioni inorganiche e ibride planari, al buio e sotto luce, con misure elettriche e fotoelettriche e con spettroscopia in ammettenza
