Ricercatore a tempo determinato
Unità di Fisica
SSD: Fisica sperimentale della materia e applicazioni (PHYS-03/A)

Curriculum Vitae

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Piero Mazzolini è ricercatore (RTD-B) presso l’Università di Parma, Dipartimento di Scienze Matematiche, Fisiche e Informatiche. Ha conseguito il Dottorato di Ricerca in Scienze e Tecnologie Energetiche e Nucleari al Politecnico di Milano (2015), con una tesi sulle proprietà funzionali di ossidi semiconduttori per applicazioni optoelettroniche.

La sua attività scientifica riguarda la crescita epitassiale e la caratterizzazione di semiconduttori ossidi a largo bandgap (e.g., Ga₂O₃, GeO₂, TiO₂) e ha esperienza di deposizione tramite MOVPE, MBE, PLD e sputtering. Ha inoltre acquisito competenze avanzate nella caratterizzazione di film sottili e nello studio di difetti di punto e strutturali.

Ha svolto attività di ricerca presso istituzioni di eccellenza come il Paul Drude Institute di Berlino, il Max Planck Institute di Stoccarda, il Politecnico di Milano e l’Istituto Italiano di Tecnologia (Milano), coordinando progetti in collaborazione con la TU Berlin e la RWTH Aachen.

È Principal Investigator di vari progetti finanziati, tra cui un grant DFG (≈615 mila €) sul controllo dei difetti nel Ga₂O₃ e tre progetti di Ateneo dell’Università di Parma su Ga₂O₃ e GeO₂.

Autore di numerose pubblicazioni scientifiche (https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=56199474500#), tiene regolarmente invited talks a conferenze internazionali come SPIE Photonics West e TCO.

Ha conseguito l'Abilitazione Scientifica Nazionale alle funzioni di Professore Universitario di Prima Fascia nel settore concorsuale 02/B1 "Fisica Sperimentale della Materia" in data 12/06/2026.

Insegnamenti

Ricerca

Linee di ricerca

L’attività di ricerca di Piero Mazzolini si concentra sulla crescita, sulla caratterizzazione fisica e sull’ingegnerizzazione dei difetti in film sottili di ossidi semiconduttori destinati ad applicazioni elettroniche, optoelettroniche e nei dispositivi di potenza. La sua attività attuale è incentrata sulla crescita eteroepitassiale di ossidi a gap energetica ultra-larga (Eg > 4 eV), in particolare Ga₂O₃ e GeO₂, mediante epitassia da fase vapore metallo-organica (MOVPE), nonché sulla fabbricazione e caratterizzazione di fotorivelatori e dispositivi correlati.

La sua ricerca combina diverse tecniche di deposizione di film sottili, tra cui MOVPE, epitassia da fasci molecolari (MBE), deposizione mediante laser pulsato (PLD) e magnetron sputtering, con tecniche di caratterizzazione strutturale, morfologica, ottica ed elettrica. Particolare attenzione è rivolta alla comprensione del ruolo dei difetti puntuali, della struttura cristallografica, dei difetti estesi, delle interfacce e delle condizioni di crescita nel determinare il trasporto di carica e le proprietà funzionali dei materiali.

Le sue precedenti attività di ricerca hanno riguardato lo sviluppo di ossidi conduttivi trasparenti, fotoanodi basati su TiO₂ e rivestimenti di ossidi e metalli destinati alla realizzazione di prototipi industriali.

Coordina inoltre e partecipa a diverse collaborazioni internazionali.

Pubblicazioni