Prof.ssa

PARISINI Antonella

Professore di II fascia
Parco Area delle Scienze, 7/A 43124 PARMA
Settore scientifico disciplinare:
FISICA DELLA MATERIA (FIS/03)
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  • Insegnamenti
  • Incarichi
  • Ricerca

ANTONELLA PARISINI
Nata a Parma il 23/10/1959, coniugata, 1 figlio. Cittadina italiana

POSIZIONI LAVORATIVE
- dal 16/12/2004 Professore Associato Università di Parma. Conferma dopo tre anni. SSD: BO3X (attuale FIS03) Struttura della Materia
- dal 16/05/1990 Ricercatore della Facoltà di Ingegneria dell’Università di Parma Conferma dopo tre anni. SSD: BO3X (attuale FIS03) Struttura della Materia

PERCORSO DI STUDI
- 1989 Dottore di Ricerca in Fisica - Università di Parma
- 1985 Laurea in Fisica - Università di Parma (110/110 cum laude)
- 1978 Diploma Scuola Superiore - Liceo Scientifico G. Marconi, Parma

ATTIVITA’ DI RICERCA
L'attività di ricerca, principalmente di tipo sperimentale, è documentata da oltre 100 pubblicazioni su riviste internazionali e numerose partecipazioni a congressi internazionali; riguarda principalmente lo studio delle proprietà elettroniche di composti semiconduttori, prevalentemente film sottili epitassiali (MBE e MOVPE) o drogati per impiantazione ionica. Tale attività è stata sviluppata all'interno di diversi contratti di ricerca e progetti in collaborazione con centri di ricerca stranieri e laboratori nazionali privati e pubblici, in particolare l'Istituto IMEM-CNR di Parma e l’Istituto IMM-CNR di Bologna. L'indagine è stata condotta principalmente attraverso misure di trasporto, a basso e alto campo magnetico, assorbimento ottico, fotoluminescenza, misure fotoelettriche e una significativa attività teorica di analisi dei dati.
Attualmente la ricerca è focalizzata su semiconduttori ad ampia banda proibita per applicazioni in elettronica di potenza e rivelazione di radiazione UV, con particolare attenzione per ossidi semiconduttori (politipi ε- e β- del Ga2O3) e SiC (soprattutto politipo 4H). Lo studio è condotto con particolare approfondimento delle proprietà elettriche fotoelettriche e di trasporto (conduzione sia in stati estesi che stati localizzati, e in prossimità della transizione semiconduttore-metallo).
Parallelamente sono studiati polimeri allo stato di gel, finalizzati alla realizzazione di dispositivi bio-integrati con proprietà memristive. Per memristor si intende un elemento passivo di un circuito che ha memoria della corrente che lo ha attraversato. Poiché sistemi neuronali hanno proprietà memristive, sistemi biocompatibili che simulano il comportamento delle sinapsi aprono una nuova frontiera dell’elettronica. Attualmente lo studio è condotto attraverso misure elettriche corrente-tensione e di spettroscopia in ammettenza su polianilina (PANI) e polietilene ossido (PEO) drogati.
L’attività pregressa ha invece riguardato lo studio di strati epitassiali di semiconduttori III-V, sia con proprietà elettroniche 3D, che strutture a bassa dimensionalità (2D) finalizzate alla fabbricazione di dispositivi elettronici e optoelettronici (ad es. celle solari a MQW).
Inoltre, sono stati ampiamente approfonditi aspetti di base della fisica dello stato solido, come (i) fenomenologie connesse con la presenza di impurezze shallow/deep (in particolare: il centro DX), (ii) disturbi strutturali (effetti di correlazione del disordine in superreticoli, fenomeni di ordering), (iii) fenomeni di trasporto in buche quantiche multiple (sia in direzione parallela che perpendicolare ai pozzi), (iv) magneto-trasporto quantistico e effetti di debole localizzazione.

ESPERIENZE ALL'ESTERO
Sono stati svolti vari periodi, di permanenza breve, all'École polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL), dove sono state svolte misure di fotoluminescenza su strutture a buca quantica GaAs/AlGaAs.

ATTIVITA’ DIDATTICA
L’attività didattica svolta è molto ampia, fortemente polarizzata su corsi di base sia per Corsi di Laurea della Facoltà di Ingegneria (soprattutto per il CL in Ingegneria Civile) che CL della Facoltà di Scienze Matematiche Fisica e Naturali (CL in Scienza e Tecnologia dei Materiali, e CL in Fisica), e più recentemente per il CL in Fisica del Dipartimento di Scienze Matematiche, Fisiche ed Informatiche.
È attualmente svolta anche attività per Corsi di Laurea Magistrale in Fisica e saltuariamente in passato anche per i Cosi di Dottorato di Ricerca in Fisica e in Scienza e Tecnologia dei Materiali. Vari i seminari di carattere didattico.
Dal a.a. 2015-16 è referente per attività di Alternanza Scuola-Lavoro in Fisica e collabora da sempre allo svolgimento di varie attività di supporto alla didattica e divulgazione.

ALTRA ATTIVITA’
- 2017: membro del Comitato Organizzatore del Worshop: “2nd International Workshop on Ga2O3 and related Compounds” (IWGO2017-Parma, 12-15 settembre 2017, Parma).
- 1999-2000: responsable scientifico dell’Unità Operativa di Parma nel Progetto Finalizzato “MADESS II”), operante sulla linea di ricerca “Studio di eterostrutture InGaP/GaAs and AlGaAs/GaAs cresciute per MOVPE finalizzate allo svilupo di convertitori fotovoltaici ad alta efficienza per uso spazial. Analisi delle proprietà di trasporto di strati epitassiali di InGaP su GaAs”.
- 1994: membro del Comitato Organizzatore del Congresso: “2nd International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies” (EXMATEC’94 -Parma, maggio 18-20, 1994).

CONTRIBUTO ALLO SVILUPPO DI TECONLOGIE, MATERIALI E APPARATI
Nel corso della attività scientifica svolta è stato dato un contributo determinante all'allestimento e allo sviluppo del Laboratorio "Semiconduttori" del Plesso di Fisica dell'Università di Parma, sia partecipando ampiamente all'assemblaggio e all'impiego dei citati sistemi sperimentali, sia elaborando modelli e calcoli per l'analisi e l'adattamento dei dati sperimentali. In particolare:
I) messa a punto e gestione del sistema di misura dell’Effetto Hall a bassi campi che funziona nell’intervallo di temperatura 10 - 600 K, al buio e sotto l'eccitazione ottica selettiva in lunghezza d’onda
II) Messa a punto di modelli e codici di calcolo per un'analisi autoconsistente della mobilità e della densità della portante in funzione della temperatura
III) Predisposizione di un impianto per misure di trasporto ad alto campo magnetico, con magnete superconduttore operante nel campo T da 1,5 a 300 K, fino a 12 Tesla
IV) Messa a punto di modelli e codici di calcolo per l'indagine su fenomeni di trasporto quantistico
V) Messa a punto di un sistema di misura di spettroscopia di carica spaziale (spettroscopia di ammettenza, misure di tensione di capacità) operanti nell'intervallo di temperatura 10-300 K con relativa analisi dei dati nel caso di applicazione della tecnica a sistemi diversi (semiconduttori inorganici o materia soffice)
V) Messa a punto di un sistema di misura di assorbimento ottico e proprietà fotoelettriche nell’intervallo spettrale vicino IR-visibile, operante nell’intervallo di temperatura 10-300 K

ASPETTI ORIGINALI DELLA RICERCA
(i) Analisi delle proprietà di trasporto dei composti ternari III-V influenzate dalla presenza del centro DX in coesistenza con i livelli shallow introdotti dal donore
(ii) Studio dei coefficienti di magneto-trasporto in Te-GaSb sia a bassi campi magnetici, per evidenziare effetti di magnetoresistenza negativa (debole localizzazione), che ad alti campi fino all’estremo limite quantico
(iii) Studio del trasporto attraverso stati localizzati in prossimità della transizione Mott e della transizione semiconduttore-isolante indotta dal campo magnetico. Studio
(iv) Misura e analisi del trasporto parallelo di un gas elettronico 2D in strutture a buca quantica multipla e studio delle proprietà ottiche delle strutture
(v) Indagine fotoelettrica e con spettroscopia in ammettenza di strutture a buca quantica multipla incorporate nei diodi p-i-n, in funzione della temperatura e della frequenza dell'eccitazione ottica
(vi) Misure e analisi del trasporto perpendicolare attraverso una struttura a buca quantica multipla incorporata nella regione intrinseca di un diodo p-i-n, con l'evidenza di effetti di tunneling
(vii) Studio del disordine strutturale, come effetti di ordering o disordine correlato 1D in superreticoli
(viii) Studio delle proprietà di trasporto in strati impiantati 4H-SiC, e strati epitassiali di Ga2O3, relativo ai meccanismi di conduzione sia in stati estesi (bande di valenza e conduzione), sia in stati localizzati (Hopping a Range Variabile 3D e 2D)
(ix) Comprensione dei meccanismi elettrochimici alla base del funzionamento di strutture memristive organiche

Anno accademico di espletamento: 2019/2020

Anno accademico di espletamento: 2018/2019

Anno accademico di espletamento: 2017/2018

Anno accademico di espletamento: 2016/2017

Anno accademico di espletamento: 2015/2016

Anno accademico di espletamento: 2014/2015

Anno accademico di espletamento: 2013/2014

Docente di riferimento

  • Corso di Laurea Magistrale FISICA A.A. 2019/2020
  • Corso di Laurea Magistrale FISICA A.A. 2018/2019
  • Corso di Laurea Magistrale FISICA A.A. 2017/2018
  • Corso di Laurea Magistrale FISICA A.A. 2016/2017

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