ANTONELLA PARISINI
Nata a Parma il 23/10/1959, coniugata, 1 figlio. Cittadina italiana
RUOLI PROFESSIONALI
- dal 16/12/2004 Professore Associato Università di Parma Conferma dopo tre anni. SSD: BO3X (attuale FIS03) Struttura della Materia
- dal 16/05/1990 Ricercatore della Facoltà di Ingegneria dell’Università di Parma Conferma dopo tre anni. SSD: BO3X (attuale FIS03) Struttura della Materia
FORMAZIONE
- 1989 Dottore di Ricerca in Fisica - Università di Parma
- 1985 Laurea in Fisica - Università di Parma (110/110 cum laude)
- 1978 Diploma Scuola Superiore - Liceo Scientifico G. Marconi, Parma
ATTIVITA’ DI RICERCA
L'attività di ricerca, principalmente di tipo sperimentale, è documentata da oltre 100 pubblicazioni su riviste internazionali e numerose partecipazioni a congressi internazionali; riguarda principalmente lo studio delle proprietà elettroniche di composti semiconduttori, prevalentemente film sottili epitassiali (MBE e MOVPE) o drogati per impiantazione ionica. Tale attività è stata sviluppata all'interno di diversi contratti di ricerca e progetti in collaborazione con centri di ricerca stranieri e laboratori nazionali privati e pubblici, in particolare l'Istituto IMEM-CNR di Parma e l’Istituto IMM-CNR di Bologna. L'indagine è stata condotta principalmente attraverso misure di trasporto, a basso e alto campo magnetico, assorbimento ottico, fotoluminescenza, misure fotoelettriche e una significativa attività teorica di analisi dei dati.
Attualmente la ricerca è focalizzata su semiconduttori ad ampia banda proibita per applicazioni in elettronica di potenza e rivelazione di radiazione UV, con particolare attenzione per ossidi semiconduttori (politipi ε- e β- del Ga2O3) e SiC (soprattutto politipo 4H). Lo studio è condotto con particolare approfondimento delle proprietà elettriche fotoelettriche e di trasporto (conduzione sia in stati estesi che stati localizzati, e in prossimità della transizione semiconduttore-metallo).
Parallelamente sono studiati polimeri allo stato di gel, finalizzati alla realizzazione di dispositivi bio-integrati con proprietà memristive. Per memristor si intende un elemento passivo di un circuito che ha memoria della corrente che lo ha attraversato. Poiché sistemi neuronali hanno proprietà memristive, sistemi biocompatibili che simulano il comportamento delle sinapsi aprono una nuova frontiera dell’elettronica. Attualmente lo studio è condotto attraverso misure elettriche corrente-tensione e di spettroscopia in ammettenza su polianilina (PANI) e polietilene ossido (PEO) drogati.
L’attività pregressa ha invece riguardato lo studio di strati epitassiali di semiconduttori III-V, sia con proprietà elettroniche 3D, che strutture a bassa dimensionalità (2D) finalizzate alla fabbricazione di dispositivi elettronici e optoelettronici (ad es. celle solari a MQW).
Inoltre, sono stati ampiamente approfonditi aspetti di base della fisica dello stato solido, come (i) fenomenologie connesse con la presenza di impurezze shallow/deep (in particolare: il centro DX), (ii) disturbi strutturali (effetti di correlazione del disordine in superreticoli, fenomeni di ordering), (iii) fenomeni di trasporto in buche quantiche multiple (sia in direzione parallela che perpendicolare ai pozzi), (iv) magneto-trasporto quantistico e effetti di debole localizzazione.
