Personale docente

Giovanna Sozzi è attualmente professore associato presso il Dipartimento di Ingegneria e Architettura dell’Università degli Studi di Parma, settore scientifico disciplinare ING-INF/01 Elettronica. E’ inoltre membro del Collegio Docenti del Dottorato di Ricerca in Tecnologie dell’Informazione. Dal 2018 è delegata, a livello dei corsi di studio, per l’orientamento in Ingresso e Tutorato del Corso di Laurea Magistrale in Elettronica, del Corso di Laurea Magistrale in Communication Engineering, del Corso di Laurea in Ingegneria Informatica, Elettronica e delle Telecomunicazioni. Dal 2018 è inoltre referente per le attività di Alternanza Scuola Lavoro, ora PCTO, per il corso di Laurea Magistrale in Ingegneria Elettronica.

Consegue la laurea in ingegneria elettronica (con lode) nel 1997 presso l’Università degli Studi di Parma. Durante il 1998 lavora presso FIAT spa, Torino. Dal 1998 al 2001 frequenta il Dottorato di Ricerca in Tecnologie dell’Informazione (XIV ciclo) presso il Dipartimento di Ingegneria dell’Informazione dell’Università degli Studi di Parma. Tra il 1999 e il 2000 collabora con Procter & Gamble Italia spa, stabilimento Nelsen di Gattatico (RE). Nel novembre 2001 le viene conferito un incarico di collaborazione con l’INFM UdR di Parma (Istituto Nazionale per la Fisica della Materia - Unità di Ricerca di Parma) per lo sviluppo di tecniche di processo per strutture di test su semiconduttori del gruppo III/V. Nel novembre 2001 vince una borsa di studio CNR-MADESS II della durata di dodici mesi nell’ambito della tematica “Affidabilità e fisica dei meccanismi di guasto dei dispositivi elettronici a semiconduttori composti”, della quale usufruisce presso il dipartimento di Scienze dell’Ingegneria - Università di Modena e Reggio Emilia. Nel gennaio 2002 consegue il titolo di Dottore di Ricerca, discutendo una tesi sui dispositivi ad eterogiunzione di semiconduttori composti. Nel settembre 2002 prende servizio come Ricercatrice Universitaria presso la Facoltà di Ingegneria dell’Università degli Studi di Parma avendo vinto il concorso indetto dalla suddetta Università per il settore Scientifico-Disciplinare ING/INF-01 “Elettronica”.

Dall'aa. 2002/2003 svolge attività didattica presso l'Università degli Studi di Parma, dapprima nell’ambito dell’insegnamento di Elettronica Industriale per il Corso di Master Universitario in “Tecnologie Elettroniche per l’Innovazione Industriale”, e successivamente nei Corsi di Laurea del settore dell’Ingegneria dell’Informazione.

 Le principali attività di ricerca hanno riguardato I) la caratterizzazione e simulazione numerica di dispositivi a semiconduttori composti III-V per applicazioni nelle microonde con speciale attenzione allo studio del breakdown, dei fenomeni legati agli elettroni caldi e agli stati trappola e del loro impatto sull'affidabilità dei dispositivi ad eterostruttura, nonché la simulazione elettro-termica, sia bidimensionale che tridimensionale di FET e HBT; II) le simulazioni elettro-termiche e termiche di diodi e resistori in silicio per applicazioni ad elevate potenze; III) le simulazioni numeriche elettro-termiche, sia 2D che 3D, di dispositivi in GaN; IV) la realizzazione di modelli compatti di effetti dispersivi in HEMT su GaN; V) la modellazione e simulazioni numeriche di celle solari a film sottile.

Giovanna Sozzi ha partecipato a numerosi progetti di ricerca finanziati in bandi competitivi. Nel 2010 le viene finanziato dalla Fondazione Cariparma il progetto dal titolo: “Studio ed ottimizzazione di celle solari innovative a basso costo per il mercato di massa”, del quale è responsabile scientifico. Nel maggio 2015 è finanziato il progetto dal titolo “Super high efficiency Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells approaching 25%” (acronimo “Sharc25”) della durata di 42 mesi, nell’ambito di HORIZON 2020 (H2020) Programma Quadro per la Ricerca e l’Innovazione (2014-2020) dell’Unione Europea.

Attualmente gli interessi di ricerca riguardano due filoni principali: 1) le celle solari a film sottile di seconda e terza generazione con particolare riferimento all’analisi del dispositivo tramite modellazione bi- e tri-dimensionale per una miglior comprensione dei dispositivi, per fornire linea guida sulla realizzazione di nuove strutture e per l’interpretazione delle tecnica di caratterizzazione sperimentale; 2) I dispositivi a larga energy-gap in carburo di Silicio (SiC), con particolare riferimento alla misura elettriche dei tempi di vita in dispositivi in 4H-SIC tramite tecnica OCVD. E' autrice di numerose pubblicazioni scientifiche su riviste internazionali e presentate a conferenze internazionali. Collabora inoltre in qualità di revisore con riviste internazionali, quali Solar Energy Materials and Solar cells, IEEE-Journal of Photovoltaics, Optik.